Wafer scale, low defect density, strain relaxed template for iii-nitride-based high efficiency and high power devices
WO2025090893
Art A1
1. Mai 2025
Anmelder: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025090893
- Aktenzeichen
- EP24883411
- Anmeldetag
- 25. Oktober 2024
- Veröffentlichung
- 1. Mai 2025
- Rechtsraum
- WO
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
University of California
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