Substrate and production method therefor for producing a wide-bandgap bidirectional switch

WO2025093586 Art A1 8. Mai 2025

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025093586
Aktenzeichen: EP24799527
Anmeldetag: 30. Oktober 2024
Veröffentlichung: 8. Mai 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/18H10D12/01H10D30/01H10D30/66H10D62/832H10D84/83H10D88/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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