Method for manufacturing thin film transistor, and thin film transistor

WO2025094499 Art A1 8. Mai 2025

Anmelder: NISSIN ELECTRIC CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025094499
Aktenzeichen: EP24885276
Anmeldetag: 30. August 2024
Veröffentlichung: 8. Mai 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10D30/67H01L21/318H01L21/363H10D30/01H10D64/27

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NISSIN ELECTRIC CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissin Electric

Nissin Electric ist ein japanischer Hersteller elektrischer Anlagen und Halbleiterfertigungsausrüstung mit Sitz in Kyoto. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleitertechnik und Metallurgie, ergänzt durch Schaltungs- und Energietechnik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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