Diamond substrate, method for producing same, and sensor

WO2025094988 Art A1 8. Mai 2025

Anmelder: INSTITUTE OF SCIENCE TOKYO, SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD., NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025094988
Aktenzeichen: EP24885755
Anmeldetag: 30. Oktober 2024
Veröffentlichung: 8. Mai 2025
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/04C23C16/27C30B25/20H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: INSTITUTE OF SCIENCE TOKYO
SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Chemical

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.

1.545 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von