Diamond substrate, method for producing same, and sensor
WO2025094988
Art A1
8. Mai 2025
Anmelder: INSTITUTE OF SCIENCE TOKYO, SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD., NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025094988
- Aktenzeichen
- EP24885755
- Anmeldetag
- 30. Oktober 2024
- Veröffentlichung
- 8. Mai 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/04C23C16/27C30B25/20H01L21/205
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- INSTITUTE OF SCIENCE TOKYO
SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Chemical
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.
4.655 Patente in unserer Datenbank
🇯🇵
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.
3.785 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.