Wet etching method for preventing under-cuts and mask structure used therefor
WO2025095390
Art A1
8. Mai 2025
Anmelder: IUCF-HYU (INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATI 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025095390
- Aktenzeichen
- EP24886065
- Anmeldetag
- 14. Oktober 2024
- Veröffentlichung
- 8. Mai 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G03F1/62
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- IUCF-HYU (INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATI
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
Iucf-hyu (Industry-University Cooperation Foundation)
Die IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation) ist die Forschungstransferstelle der Hanyang University in Südkorea. Das Portfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, mit weiteren Schwerpunkten in Medizintechnik und Akustik. Anmeldungen laufen seit 2018, unter anderem zu drahtloser Kommunikation und künstlicher Intelligenz.
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