Method to suppress base poly linkup overgrowth into the emitter cavity during silicon-germanium selective epitaxy growth

WO2025096326 Art A1 8. Mai 2025

Anmelder: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025096326
Aktenzeichen: EP24805321
Anmeldetag: 28. Oktober 2024
Veröffentlichung: 8. Mai 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10D10/01H10D10/80H10D62/17

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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