Laterally diffused metal oxide semiconductor device and preparation method therefor

WO2025097694 Art A1 15. Mai 2025

Anmelder: SOUTHEAST UNIVERSITY, CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025097694
Aktenzeichen: EP24887318
Anmeldetag: 11. Mai 2024
Veröffentlichung: 15. Mai 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10D99/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: SOUTHEAST UNIVERSITY
CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Southeast University

Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.

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🇨🇳 CSMC Technologies Fab2

CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von