Laterally-diffused metal-oxide-semiconductor device
WO2025097816
Art A1
15. Mai 2025
Anmelder: SOUTHEAST UNIVERSITY, CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025097816
- Aktenzeichen
- EP24887440
- Anmeldetag
- 5. Juli 2024
- Veröffentlichung
- 15. Mai 2025
- Rechtsraum
- WO
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- SOUTHEAST UNIVERSITY
CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD. - Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Southeast University
Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.
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🇨🇳
CSMC Technologies Fab2
CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.
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