Conductive bridging memory and manufacturing method therefor

WO2025098062 Art A1 15. Mai 2025

Anmelder: ZTE CORPORATION 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025098062
Aktenzeichen: EP24887676
Anmeldetag: 29. September 2024
Veröffentlichung: 15. Mai 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10N70/20H10N70/00H10B63/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: ZTE CORPORATION
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 ZTE

Chinesisches Unternehmen der Telekommunikations- und Informationstechnik mit Sitz in Shenzhen. Entwickelt Netzwerkausrüstung, Mobilfunktechnik und Endgeräte für Telekommunikationsanbieter.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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