Super junction silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing super junction silicon carbide semiconductor device

WO2025100201 Art A1 15. Mai 2025

Anmelder: FUJI ELECTRIC CO., LTD., NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025100201
Aktenzeichen: EP24888499
Anmeldetag: 18. Oktober 2024
Veröffentlichung: 15. Mai 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10D30/66H01L21/265H10D30/01H10D62/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: FUJI ELECTRIC CO., LTD.
NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von