Through-electrode substrate intermediate, through-electrode substrate, through-electrode substrate with element, and semiconductor device
WO2025100547
Art A1
15. Mai 2025
Anmelder: DAI NIPPON PRINTING CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025100547
- Aktenzeichen
- EP24888838
- Anmeldetag
- 11. November 2024
- Veröffentlichung
- 15. Mai 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H05K1/02H01L23/12H01L23/15H05K1/03H05K3/46
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- DAI NIPPON PRINTING CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Dai Nippon Printing
Japanisches Unternehmen der Druckindustrie mit Sitz in Tokio, das sich über klassische Druckerzeugnisse hinaus in Elektronikmaterialien, Displaykomponenten und Verpackungslösungen diversifiziert hat.
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