Methods for patterning a semiconductor substrate using metalate salt ionic liquid crystals

WO2025101247 Art A1 15. Mai 2025

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025101247
Aktenzeichen: EP24889334
Anmeldetag: 23. August 2024
Veröffentlichung: 15. Mai 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/033

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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