Methods for forming vertically layered ionic liquid crystal (ilc) structures on a semiconductor substrate

WO2025101262 Art A1 15. Mai 2025

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025101262
Aktenzeichen: EP24889338
Anmeldetag: 10. September 2024
Veröffentlichung: 15. Mai 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/033C09K19/00C09K19/38C09K19/52

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Farben, Klebstoffe & Brennstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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