High Selectivity Cryogenic Tungsten-Boron-Carbide Etch

WO2025101319 Art A1 15. Mai 2025

Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025101319
Aktenzeichen: EP24889356
Anmeldetag: 11. Oktober 2024
Veröffentlichung: 15. Mai 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/311H10B12/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: APPLIED MATERIALS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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