Atomic layer deposition with inhibition and in-situ passivation, and hardmask protection during etching of a gapfill film

WO2025101810 Art A1 15. Mai 2025

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025101810
Aktenzeichen: EP24889622
Anmeldetag: 7. November 2024
Veröffentlichung: 15. Mai 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02C23C16/455C23C16/56H01L21/762H01L21/311

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von