Dual Side Cut Staggered Stacked Field Effect Transistor

WO2025103629 Art A1 22. Mai 2025

Anmelder: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025103629
Aktenzeichen: EP24765543
Anmeldetag: 29. August 2024
Veröffentlichung: 22. Mai 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10D62/10H10D30/01H10D30/43H10D84/01H10D84/83H10D30/67H10D84/03H10D88/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

12.088 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von