Methods of epitaxial growth of optimal thin-film thermoelectric periodic structures for improved device performance

WO2025106151 Art A1 22. Mai 2025

Anmelder: THE JOHNS HOPKINS UNIVERSITY 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025106151
Aktenzeichen: EP24891982
Anmeldetag: 13. September 2024
Veröffentlichung: 22. Mai 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10N10/853H10N10/852H10N10/01H10N10/81

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: THE JOHNS HOPKINS UNIVERSITY
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Johns Hopkins University

US-amerikanische Privatuniversität mit Sitz in Baltimore, Maryland. Die Johns Hopkins University betreibt Forschung in Medizin, Biotechnologie, Ingenieurwesen und Materialwissenschaften.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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