Increasing density of semiconductor devices on a substrate
WO2025106550
Art A1
22. Mai 2025
Anmelder: CORNELL UNIVERSITY, INSTITUTE OF HIGH PRESSURE PHYSICS POLISH ACADEMY 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025106550
- Aktenzeichen
- EP24892150
- Anmeldetag
- 13. November 2024
- Veröffentlichung
- 22. Mai 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/02H01L21/78H10D62/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- CORNELL UNIVERSITY
INSTITUTE OF HIGH PRESSURE PHYSICS POLISH ACADEMY - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Cornell University
Die Cornell University ist eine private Universität in Ithaca, New York (USA), die in Forschung und Lehre über zahlreiche natur- und ingenieurwissenschaftliche Fachrichtungen aktiv ist.
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