Method for performing a characterization of intrinsic stresses within layers of a semiconductor layer stack
WO2025108544
Art A1
30. Mai 2025
Anmelder: AMS-OSRAM INTERNATIONAL GMBH 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025108544
- Aktenzeichen
- EP23814111
- Anmeldetag
- 22. November 2023
- Veröffentlichung
- 30. Mai 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/66
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- AMS-OSRAM INTERNATIONAL GMBH
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
ams OSRAM
ams OSRAM International GmbH ist ein deutsch-österreichischer Hersteller von Sensoren und optoelektronischen Bauteilen, entstanden aus dem Zusammenschluss von ams und Osram.
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