Method for controlling the quality of a composite structure comprising a thin c-sic layer, and composite structure

WO2025108696 Art A1 30. Mai 2025

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025108696
Aktenzeichen: EP24802192
Anmeldetag: 5. November 2024
Veröffentlichung: 30. Mai 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/66C30B29/36G01N21/64G01N21/95C30B25/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Metallurgie & Oberflächentechnik

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