Process for fabricating a composite structure including a grading step

WO2025108699 Art A1 30. Mai 2025

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025108699
Aktenzeichen: EP24802196
Anmeldetag: 5. November 2024
Veröffentlichung: 30. Mai 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/66G01N21/64H01L21/02G01N21/84

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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