Method for producing a soi structure, in particular suitable for photonic applications, and carrier substrate for the structure

WO2025108793 Art A1 30. Mai 2025

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025108793
Aktenzeichen: EP24805839
Anmeldetag: 13. November 2024
Veröffentlichung: 30. Mai 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/322H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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