Double superlattices obtained by layer transfer, structure and production method
WO2025108891
Art A1
30. Mai 2025
Anmelder: SOITEC 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025108891
- Aktenzeichen
- EP24809329
- Anmeldetag
- 18. November 2024
- Veröffentlichung
- 30. Mai 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/02H10D88/00H10D84/01H10D84/03H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SOITEC
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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