Superlattice obtained by layer transfer, structure and production method

WO2025108893 Art A1 30. Mai 2025

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2025108893
Aktenzeichen
EP24809331
Anmeldetag
18. November 2024
Veröffentlichung
30. Mai 2025
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/02H10D88/00H10D84/01H10D84/03H01L21/762
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
SOITEC
Land
🇫🇷 Frankreich
🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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