Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden einer Iii-V-Halbleiterschicht in einer mit einer Iii-V-Schutzschicht Beschichteten Oberfläche Aufweisenden Prozesskammer

WO2025108931 Art A1 30. Mai 2025

Anmelder: AIXTRON SE 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025108931
Aktenzeichen: EP24809621
Anmeldetag: 19. November 2024
Veröffentlichung: 30. Mai 2025
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/44C23C16/30

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: AIXTRON SE
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Aixtron

Aixtron ist ein deutscher Hersteller von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Der Patentbestand konzentriert sich auf Metallurgie und Oberflächentechnik sowie Halbleiterbauelemente, ergänzt durch Verfahrens- und Messtechnik. Die Anmeldungen aus 2000 bis 2025 betreffen unter anderem die Reinigung und den Betrieb von CVD-Reaktoren.

303 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von