Etching method, etching device, and gas for forming protective film

WO2025109991 Art A1 30. Mai 2025

Anmelder: CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED, TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025109991
Aktenzeichen: EP24893983
Anmeldetag: 5. November 2024
Veröffentlichung: 30. Mai 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/302

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED
TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Central Glass

Japanisches Unternehmen mit Sitz in Tokio, das Flachglas, Spezialglas sowie Fluorchemikalien für Industrie und Bauwesen herstellt.

1.099 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

6.253 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von