Three-dimensional memory device including crack-resistant backside passivation structure and methods of forming the same

WO2025111020 Art A1 30. Mai 2025

Anmelder: SANDISK TECHNOLOGIES, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025111020
Aktenzeichen: EP24894827
Anmeldetag: 22. Mai 2024
Veröffentlichung: 30. Mai 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/00H01L23/482H10B41/27

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

2.373 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von