Trench substrate lead-out structure, manufacturing method therefor and semiconductor device
WO2025112346
Art A1
5. Juni 2025
Anmelder: CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025112346
- Aktenzeichen
- EP24895456
- Anmeldetag
- 22. Mai 2024
- Veröffentlichung
- 5. Juni 2025
- Rechtsraum
- WO
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
CSMC Technologies Fab2
CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.
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