Resistive random access memory and memory device

WO2025113424 Art A1 5. Juni 2025

Anmelder: TSINGHUA UNIVERSITY, SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY INNOVATION CENTER (BEIJIN 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025113424
Aktenzeichen: EP24896512
Anmeldetag: 26. November 2024
Veröffentlichung: 5. Juni 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10N70/00H10N70/20H10B63/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: TSINGHUA UNIVERSITY
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY INNOVATION CENTER (BEIJIN
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Tsinghua University

Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.

3.287 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von