Integrated circuit device and method for preparing integrated circuit device

WO2025113435 Art A1 5. Juni 2025

Anmelder: TSINGHUA UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025113435
Aktenzeichen: EP24896523
Anmeldetag: 26. November 2024
Veröffentlichung: 5. Juni 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10B12/00G06N3/0464G06N3/063G06V10/44G06V10/82

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: TSINGHUA UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Tsinghua University

Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.

3.287 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Software & Datenverarbeitung

Vertreten von