Silicon carbide substrate, method for manufacturing silicon carbide substrate, silicon carbide semiconductor device, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

WO2025115393 Art A1 5. Juni 2025

Anmelder: FUJI ELECTRIC CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025115393
Aktenzeichen: EP24897083
Anmeldetag: 2. Oktober 2024
Veröffentlichung: 5. Juni 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10D30/66H01L21/20H01L21/265H01L21/322H10D30/01

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FUJI ELECTRIC CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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