Monolithic three-dimensional (3d) integration of two dimensional (2d) field effect transistors (fets)

WO2025117577 Art A1 5. Juni 2025

Anmelder: THE PENN STATE RESEARCH FOUNDATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025117577
Aktenzeichen: EP24898657
Anmeldetag: 26. November 2024
Veröffentlichung: 5. Juni 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10D84/40H10D84/85H10D30/67H10D84/03

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: THE PENN STATE RESEARCH FOUNDATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Penn State Research Foundation

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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