Flash Memory Including Self-Aligned Floating Gates

WO2025117689 Art A1 5. Juni 2025

Anmelder: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025117689
Aktenzeichen: EP24898729
Anmeldetag: 27. November 2024
Veröffentlichung: 5. Juni 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10B43/30H10D30/68H10D30/01

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

4.305 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von