Bismuth-telluride-based thermoelectric element, bismuth-telluride-based thermoelectric device, and preparation method therefor

WO2025118312 Art A1 12. Juni 2025

Anmelder: SHENZHEN INSTITUTES OF ADVANCED TECHNOLOGY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025118312
Aktenzeichen: EP23960623
Anmeldetag: 11. Dezember 2023
Veröffentlichung: 12. Juni 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10N10/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SHENZHEN INSTITUTES OF ADVANCED TECHNOLOGY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Shenzhen Institutes of Advanced Technology

Chinesisches Forschungsinstitut in Shenzhen unter der Chinesischen Akademie der Wissenschaften mit Schwerpunkten in Robotik, Biomedizintechnik und neuen Materialien.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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