Storage unit, memristor array, compute-in-memory circuit, and operation method
WO2025119281
Art A1
12. Juni 2025
Anmelder: TSINGHUA UNIVERSITY 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025119281
- Aktenzeichen
- EP24899915
- Anmeldetag
- 5. Dezember 2024
- Veröffentlichung
- 12. Juni 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C13/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- TSINGHUA UNIVERSITY
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Tsinghua University
Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.
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