Method for producing a power semiconductor device and power semiconductor device

WO2025119475 Art A1 12. Juni 2025

Anmelder: HITACHI ENERGY LTD 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025119475
Aktenzeichen: EP23824903
Anmeldetag: 7. Dezember 2023
Veröffentlichung: 12. Juni 2025
Rechtsraum: WO
IPC: G11C5/04H01L23/00B23K35/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: HITACHI ENERGY LTD
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 Hitachi Energy

Unternehmen mit Sitz in der Schweiz, hervorgegangen aus dem japanischen Hitachi-Konzern und der früheren Energiesparte von ABB. Entwickelt Technik für Stromübertragung, -verteilung und Netzautomatisierung.

1.608 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

Vertreten von