Compressive Strain in Stacked Nanosheet Field Effect Transistor

WO2025119527 Art A1 12. Juni 2025

Anmelder: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025119527
Aktenzeichen: EP24790921
Anmeldetag: 15. Oktober 2024
Veröffentlichung: 12. Juni 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10D84/01H10D30/00H10D84/85H10D30/69

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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