Backside signal contact and power formation for stacked transistors

WO2025119542 Art A1 12. Juni 2025

Anmelder: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025119542
Aktenzeichen: EP24798450
Anmeldetag: 25. Oktober 2024
Veröffentlichung: 12. Juni 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768H01L23/528H10D30/43H10D64/23H10D84/01H10D84/03H10D84/83H10D84/85H10D88/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

12.088 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von