Two-level backside power rails and backside contact extension for stacked field effect transistor

WO2025120415 Art A1 12. Juni 2025

Anmelder: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025120415
Aktenzeichen: EP24827134
Anmeldetag: 12. November 2024
Veröffentlichung: 12. Juni 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10D84/01H10D64/23H10D84/85H10D88/00H01L21/768H01L23/528

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

12.088 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von