Semiconductor device and method for manufacturing same

WO2025120805 Art A1 12. Juni 2025

Anmelder: NTT, INC. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025120805
Aktenzeichen: EP23960818
Anmeldetag: 7. Dezember 2023
Veröffentlichung: 12. Juni 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H10H20/832H10D64/62H01S5/042H10H20/825

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NTT, INC.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NTT (Nippon Telegraph and Telephone)

Japanischer Telekommunikationskonzern mit Sitz in Tokio. NTT ist im Festnetz-, Mobilfunk- und Datennetzgeschäft aktiv und entwickelt Technologien für Netzwerkinfrastruktur, Glasfaser, Cloud-Dienste und Informations- und Kommunikationssysteme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von