Group iii element nitride substrate, semiconductor element, method for processing group iii element nitride substrate, and method for manufacturing semiconductor element
WO2025120853
Art A1
12. Juni 2025
Anmelder: NGK INSULATORS, LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025120853
- Aktenzeichen
- EP23960863
- Anmeldetag
- 8. Dezember 2023
- Veröffentlichung
- 12. Juni 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NGK INSULATORS, LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
NGK Insulators
Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.
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