Method for producing thin film transistor

WO2025120938 Art A1 12. Juni 2025

Anmelder: NISSIN ELECTRIC CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025120938
Aktenzeichen: EP24900235
Anmeldetag: 30. August 2024
Veröffentlichung: 12. Juni 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10D30/01H01L21/31H01L21/316H01L21/324H10D30/67

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: NISSIN ELECTRIC CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissin Electric

Nissin Electric ist ein japanischer Hersteller elektrischer Anlagen und Halbleiterfertigungsausrüstung mit Sitz in Kyoto. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleitertechnik und Metallurgie, ergänzt durch Schaltungs- und Energietechnik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2025.

274 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von