Epitaxial structure of long-wavelength ingan-based light-emitting diode, and preparation method therefor
WO2025123515
Art A1
19. Juni 2025
Anmelder: PEKING UNIVERSITY 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025123515
- Aktenzeichen
- EP24901945
- Anmeldetag
- 14. März 2024
- Veröffentlichung
- 19. Juni 2025
- Rechtsraum
- WO
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- PEKING UNIVERSITY
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Peking University
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