Dopant addition device, dopant addition method, and method for producing silicon single crystal

WO2025126622 Art A1 19. Juni 2025

Anmelder: SUMCO CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2025126622
Aktenzeichen
EP24903285
Anmeldetag
1. Oktober 2024
Veröffentlichung
19. Juni 2025
Rechtsraum
WO
IPC
C30B29/06C30B15/04
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
SUMCO CORPORATION
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Sumco

Sumco ist ein japanischer Hersteller von Siliziumwafern für die Halbleiterindustrie. Das Patentportfolio konzentriert sich entsprechend auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Metallurgie- und Fertigungstechnik. Anmeldungen sind von 2000 bis in die Gegenwart belegt.

658 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen