Film forming apparatus and film forming method, as well as crystalline metal oxide film, and multilayer structure and semiconductor device using same
WO2025127051
Art A1
19. Juni 2025
Anmelder: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025127051
- Aktenzeichen
- EP24903705
- Anmeldetag
- 11. Dezember 2024
- Veröffentlichung
- 19. Juni 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C23C16/511C23C16/40C23C16/448H01L21/205H01L21/368
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Chemical
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.
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