Three-dimensional flash memory with silicon-based channel structure

WO2025127841 Art A1 19. Juni 2025

Anmelder: IUCF-HYU (INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATI 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025127841
Aktenzeichen: EP24904406
Anmeldetag: 12. Dezember 2024
Veröffentlichung: 19. Juni 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10B43/30H10B43/27H10B51/30H10B51/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: IUCF-HYU (INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATI
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Iucf-hyu (Industry-University Cooperation Foundation)

Die IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation) ist die Forschungstransferstelle der Hanyang University in Südkorea. Das Portfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, mit weiteren Schwerpunkten in Medizintechnik und Akustik. Anmeldungen laufen seit 2018, unter anderem zu drahtloser Kommunikation und künstlicher Intelligenz.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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