Methods for wet atomic layer etching of transition metal oxide dielectric materials

WO2025128187 Art A1 19. Juni 2025

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025128187
Aktenzeichen: EP24904583
Anmeldetag: 11. Oktober 2024
Veröffentlichung: 19. Juni 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/311H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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