Systems and methods for orthogonal control of ion energy for har etching
WO2025128367
Art A1
19. Juni 2025
Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025128367
- Aktenzeichen
- EP24904644
- Anmeldetag
- 3. Dezember 2024
- Veröffentlichung
- 19. Juni 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01J37/32
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM RESEARCH CORPORATION
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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