Bow control of high aspect ratio features during cryogenic etch

WO2025128603 Art A1 19. Juni 2025

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025128603
Aktenzeichen: EP24904751
Anmeldetag: 10. Dezember 2024
Veröffentlichung: 19. Juni 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/311H01L21/3213

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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