Methods of depositing silicon-containing dielectric layers for semiconductor devices

WO2025128978 Art A1 19. Juni 2025

Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC., NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025128978
Aktenzeichen: EP24904955
Anmeldetag: 13. Dezember 2024
Veröffentlichung: 19. Juni 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02C23C16/34C23C16/02C23C16/30C23C16/40C23C16/455

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: APPLIED MATERIALS, INC.
NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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🇸🇬 National University of Singapore

Staatliche Universität in Singapur, eine der größten und international bestbewerteten Hochschulen Asiens. Sie ist in Forschung und Lehre breit aufgestellt, mit starken Ingenieur- und Naturwissenschaftsfakultäten.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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